一、6t/h硫酸鈉溶液MVR蒸發(fā)結(jié)晶系統(tǒng)參數(shù)

1.進(jìn)料流量：6t/h

2.進(jìn)料濃度：15–18%Na?SO?

3.出料濃度：48–50%（晶漿25–30%固含）

4.蒸發(fā)水量：5t/h

5.晶體產(chǎn)量(干基)：≈0.9t/h無水Na?SO?

6.生蒸汽需求：0t/h（MVR自平衡，啟動(dòng)蒸汽0.3t）

7.壓縮機(jī)軸功率：185kW（變頻離心，壓縮比1:1.6）

8.蒸發(fā)溫度：75℃（低BPR，硫酸鈉ΔT≈6–8℃）

9.材質(zhì)：換熱管2205，殼體316L，結(jié)晶器2205+PTFE襯里

二、硫酸鈉溶液MVR蒸發(fā)結(jié)晶推薦工藝流程

1.預(yù)熱段：原料25℃→一級(jí)板式冷凝水預(yù)熱器→二級(jí)蒸汽預(yù)熱（啟動(dòng)用）→75℃進(jìn)入蒸發(fā)循環(huán)管。

2.蒸發(fā)-結(jié)晶段

降膜蒸發(fā)器（加熱室）+強(qiáng)制循環(huán)FC結(jié)晶器一體化：

二次蒸汽75℃→離心壓縮機(jī)→98℃→回加熱室殼程。

晶漿密度25%時(shí)溢流至DTB結(jié)晶罐進(jìn)一步生長→離心機(jī)→母液回流。

3.冷凝/真空：不凝氣經(jīng)表面冷凝器+水環(huán)真空泵排放；冷凝水45℃回收至工藝水罐。

三、硫酸鈉溶液MVR蒸發(fā)結(jié)晶系統(tǒng)主要設(shè)備規(guī)格

四、硫酸鈉溶液MVR蒸發(fā)結(jié)晶系統(tǒng)防結(jié)垢與清洗設(shè)計(jì)

在線清洗：每8h5%NaOH循環(huán)20min；每周2%HCl酸洗1h。

強(qiáng)制循環(huán)流速≥2.2m/s，減少晶體沉積。

五、公用工程消耗（單條線）

六、布置與模塊化

三層撬裝：蒸發(fā)器頂層、泵閥二層、離心+干燥底層；占地8m×6m，高11m。

整體發(fā)運(yùn)，現(xiàn)場(chǎng)5d完成吊裝配管。

七、經(jīng)濟(jì)性對(duì)比（MVRvs三效）

注：電價(jià)0.75元/kWh，蒸汽220元/t，運(yùn)行8000h/a。